Ținte de pulverizare cu oxid de aluminiu și zinc

Ținte de pulverizare cu oxid de aluminiu și zinc Odată cu dezvoltarea filmelor conductoare transparente, țintele AZO (Al2O3-ZnO), care pot înlocui ITO, au fost utilizate pe scară largă. Filmul conductor transparent AZO are o bandă interzisă de 3,4 eV și o limită de absorbție intrinsecă de 360 nm, care poate fi folosită ca material de strat de fereastră pentru bateriile cu film subțire-. Caracteristica sa de bandă largă poate reduce absorbția luminii prin regiuni dopate de tip p, n-și poate îmbunătăți rata de utilizare a energiei luminii. În același timp, filmul conductor transparent AZO are o rezistivitate scăzută și o transmisie ridicată a luminii vizibile, făcându-l un bun strat transparent din față. În același timp, AZO are, de asemenea, caracteristicile de stabilitate ridicată a plasmei, tehnologie de preparare ușoară și materii prime non-toxice și inofensive, făcând AZO mai larg utilizat în domeniul celulelor solare cu peliculă subțire.

Ținte de pulverizare cu oxid de aluminiu și zinc Imagine:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

Compania noastră poate oferi clienților ținte AZO de înaltă{0}}puritate, densitate ridicată- și organizate uniform, precum și serviciul de legare pentru ținte și backplane AZO.

Tip	numele produsului	Formulă	Puritate	Punct de topire	Densitate (g/cc)	Forme disponibile
Oxizi	Oxid de aluminiu	Al2O3	4N	2045	4	Țintă, Particulă
	Oxid de bismut (III).	Bi2O3	4N	820	8.9	Țintă, Particulă
	Oxid de crom (III).	Cr2O3	4N	2435	5.2	Țintă, Particulă
	Oxid de Erbiu	Er2O3	4N	2378	8.64	Țintă, Particulă
	Oxid de hafniu	HfO2	4N	2812	9.7	Țintă, Particulă
	Oxid de indiu staniu	ITO	4N	1565	7.6	Ţintă
	Oxid de magneziu	MgO	4N	2800	3.58	Țintă, Particulă
	Pentoxid de niobiu	Nb2O5	4N	1530	4.47	Țintă, Particulă
	Oxid de neodim (III).	Nd2O3	4N	2272	7.2	Țintă, Particulă
	Oxid de nichel	NiO	4N	1990	7.45	Țintă, Particulă
	Oxid de scandiu	Sc2O3	4N	2480	3.86	Țintă, Particulă
	Oxid de siliciu	SiO	4N	1702	2.13	Țintă, Particulă
	Dioxid de siliciu	SiO2	4N	1610	2.2	Țintă, Particulă, Cristal
	Oxid de samarium(III).	Sm2O3	4N	2350	7.4	Țintă, Particulă
	Pentoxid de tantal	Ta2O5	4N	1800	8.7	Țintă, Particulă
	Dioxid de titan	TiO2	4N	1800	4.29	Țintă, Particulă
	Oxid de titan (V).	Ti3O5	4N	1750	4.57	Țintă, Particulă
	Oxid de vanadiu (V).	V2O5	4N	690	3.36	Țintă, Particulă
	Oxid de ytriu(III).	Y2O3	4N	2680	4.8	Țintă, Particulă
	Oxid de zinc	ZnO	4N	1975	5.6	Țintă, Particulă
	Oxid de zinc-dopat cu aluminiu	AZO	4N	\	5.4	Ţintă
	Dioxid de zirconiu	ZrO2	4N	2700	5.5	Țintă, Particulă
fluorura	Fluorura de bariu	BaF2	4N	1280	4.8	Țintă, Particulă
	Fluorura de calciu	CaF2	4N	1360	3.13	Țintă, Particulă
	Fluorura de ceriu	CeF3	4N	1418	6.16	Țintă, Particulă
	Fluorura de potasiu	CE FACI	4N	880	2.48	Țintă, Particulă
	Fluorura de lantan (III).	LaF3	4N	1490	6	Țintă, Particulă
	Fluorura de magneziu	MgF2	4N	1266	4.2	Țintă, Particulă
	Fluorură de sodiu	NaF	4N	988	2.79	Țintă, Particulă
Alții	Titanat de bariu	BaTiO3	4N	1620	3.96	Țintă, Particulă
	Titanat de stronțiu	SrTiO3	4N	2080	5.12	Țintă, Particulă
	Sulfura de zinc	ZnS	4N	1830	4.1	Țintă, Particulă
	Nitrură de siliciu	Si3N4	4N	sublimare	3.44	Țintă, Particulă
	Nitrură de titan	Staniu	4N	2950	5.43	Țintă, Particulă
	Nitrură de aluminiu	AlN	4N	sublimare	3.26	Țintă, Particulă
	Nitrură de bor	BN	4N	3000	2.25	Țintă, Particulă
	Carbură Slilicon	Sic	4N	2700	3.22	Ţintă

Tag-uri populare: Ținte de pulverizare cu oxid de aluminiu și zinc, furnizori, producători, fabrică, personalizate, en-gros, preț, cotație, de vânzare